growth of single crystal
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单晶生长
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1、
molecular dynamics simulation of bending crack initiation and growth of single crystal cu
单晶铜弯曲裂纹萌生和扩展的分子动力学模拟
来源：互联网摘选 -
2、
The Bridgman method was used in the vertical growth of single crystal semiconducting materials.
单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.
来源：互联网摘选
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